齐鲁彩票

侵权投诉

基于NAND FLASH存储器实现在系统中的读写和控制

电子设计 2020-05-20 08:57 次阅读

1、 NAND FLASH

2、 NAND FLASH与NOR FLASH比较

NOR的特点是可在芯片内执行,这样程序应该可以直接在FLASH内存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,但写入和读出速度较低。而NAND结构能提供极高的单元密度,并且写入和擦除的速度也很快,是高数据存储密度的最佳选择。

这两种结构性能上的异同主要为:NOR的读速度比NAND快;NAND的写入速度比NOR快很多;NAND的擦除速度远比NOR快;NAND的擦除单元更小,相应的擦除也更加简单;NAND的实际应用方式要比NOR复杂得多;NOR可以直接使用,并在上面直接运行代码,而NAND需要I/O,因此使用时需要驱动程序。

3、NAND FLASH在系统中的控制

在没有NAND FLASH硬件接口的环境中,通过软体控制CPU时序和硬件特殊接线方式实现仿真NANDFLASH接口,进而实现在嵌入式系统中脱离NANDFLASH专用硬件接口进行对NAND FLASH读、写、擦除等操作的实现方法。

本方法主要工作在以下两个方面:

软件方面:针对特殊硬件线路的软体设计和严格的CPU时序控制;

硬件方面:硬件的线路设计,利用NOR FLASH专用硬件接口控制NAND FLASH。

齐鲁彩票 首先建立的开发平台如图1所示。

基于NAND FLASH存储器实现在系统中的读写和控制

本平台使用Intel的PXA270 Processor,无内建NAND FLASH Controller,使用NOR FLASH Controller控制NAND FLASH,具体的线路连接方式如图2所示。

NAND FLASH的I/O0~I/07引脚用于对FLASH发送操作命令和收发数据,ALE用于指示FLASH当前数据为地址信息,CLE用于指示当前数据为操作命令信息,当两者都无效时,为数据信息。CE引脚用于FLASH片选。RE和WE分别为FLASH读、写控制,R/B指示FLASH命令是否已经完成。逭里选用的是CE don‘t care的NAND FLASH。

NAND FLASH的读写操作以page方式进行,一次读写均为一个page,erase方式以block方式进行。这种方式,使其读写速度大大提高。

在时序方面,以读操作为例,其时序如图3所示。

操作过程主要分为以下几个步骤:

(1)发送读操作命令

CE有效,CLE有效,WE有效,I/O0~I/O8上面数据为command代码数据。

(2)发送地址数据(需要读取的FLASH地址)

CE有效,ALE有效,WE有效,I/O0~I/O8上面为所需地址数据。由于地址数据较多,所以需要分几次依次发送。每次发送都需要产生WE信号以将其写入NANDFLASH芯片。

(3)等待R/B信号,最后读出数据

在最后一个地址数据写入FLASH之后,R/B信号即变低。等待芯片完成整个page数据读取之后,R/B信号变高。此时,CE有效,ALE,CLE均拉低,依次产生RE信号,从I/O0~I/O8读取出所需数据。

对于写操作和擦除操作,其基本原理相同,只是信号顺序略有改变,就不再赘述。

由于使用了CPU地址线A1,A2连接CLE,ALE引脚,对CPU低2、3位地址的读写操作就意味着对NANDFLASH进行读写命令/数据操作。如果此程序工作在OS

齐鲁彩票 上的application层的话,MMU已经屏蔽程序对底层硬件

的直接访问,所以需要对MMU进行设定,为NANDFLASH开辟一块。Memory映像区域,这样就可以通过OS对底层的NAND FLASH进行操作。以该系统为例,使用CPU的CS1引脚控制NAND FLASH的CE信号,先将其映像为0x24000000地址,此时,对0x24000000地址读写即对NAND FLASH芯片进行数据读写,而对Ox24000002地址写数据,使CPU的A1地址引脚为高,即对NAND FLASH发送command命令,同样,对0x24000004地址写数据,即对NAND FLASH发送address数据。

在对NAND FLASH发送命令/数据之后,由于程序运行速度比FLASH芯片快很多,需要在每一次操作之后插入若干等待周期,并利用CPU的GPIO检测芯片R/B信号。直至芯片完成本次操作再进行下一步操作。

需要注意的是,在对FLASH发送命令数据过程中的等待,没有反馈信号可以检测,只能通过反复调试确定其所需等待时间。

在设计中采用CPU的CS1信号对NAND FLASH进行CE(片选)控制。此处不能采用CPU的GPIO进行控制,因为在嵌入式设备的ARM CPU中,CPU本身采用了指令、数据自动预读的高速缓存技术和流水线技术。因此,当程序在NOR FLASH里面直接运行的时候(目前绝大多数嵌入式系统采用的方式),在运行任何两段相连的代码中间,CPU都有可能对NOR FLASH进行指令或数据的预读操作,从而产生大量的RE,OE信号和地址信号。如果使用GPIO控制NAND FLASH的CE信号则无法避免这种影响。CPU的CS1信号是由CPU内部自动产生,因此在CPU预读期间,CS1信号可以有效屏蔽NANDFLASH芯片。并且,由于NAND FLASH芯片支持CEdon’t care模式,在CE无效的情况下,芯片本身的工作状态并不会被干扰,由此保证了NOR FLASH和NANDFLASH在同一CPU界面中互不干扰的稳定运行。对于CS1信号的宽度等参数,也需要在实验中进行调节,才能保证整个系统快速稳定的运行。

4 、NAND FLASH在系统中的读写速度

经过在该系统平台中,OS为Palm OS 5.4;CPU使用PXA270 312 MHz;SDRAM使用Samsung的16 bdata width HYB25L256160AF-7.5@104 MHz;NANDFLASH选用Samsung 128 MB 8 b I/O NAND FLASHK9F1G08U0A达到在文件系统下面的读/写的速度为3 MB/s,擦除的速度为65 MB/s,在手持式设备中运用性能已经够了。

责任编辑:gt


收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

齐鲁彩票戈埃尔科技:手机外壳点胶加工注意的事项

手机外壳点胶加工是在用户对消费电子产品的要求越来越高的情况下,产生并发展起来的。尤其是体现在智能手机....
发表于 05-22 16:25 399次 阅读
戈埃尔科技:手机外壳点胶加工注意的事项

关于RAM学习疑问的解答

咣当,咣当,咣当~~~~~~~~~~~~~~ 偶又回来了,找食难呀,现在又有时间玩RAM了................ 复习一下前边的,今天有如下收获:...
发表于 05-22 14:26 10次 阅读
关于RAM学习疑问的解答

西数希捷东芝的SMR机械硬盘并不适合NAS RAID环境

西部数据(WD)、希捷(Seagate)和东芝(Toshiba),均已被证实在销售非传统垂直记录(P....
发表于 05-22 09:48 396次 阅读
西数希捷东芝的SMR机械硬盘并不适合NAS RAID环境

新兴的非易失性存储器技术谁将更胜一筹

新兴的非易失性存储器技术主要有五种类型:闪存(Flash),铁电随机存取存储器(FeRAM),磁性随....
发表于 05-21 16:34 722次 阅读
新兴的非易失性存储器技术谁将更胜一筹

科研人员提出可加速AI的计算与存储器混合技术吗

科研人员提出可加速AI的计算与存储器混合技术...
发表于 05-21 15:02 13次 阅读
科研人员提出可加速AI的计算与存储器混合技术吗

富士通FRAM存储器内置RFID LSI的产品

富士通半导体利用FRAM的高速写入,高读写耐久性(多次读写次数)特长, 提供RFID用LSI以及应用....
发表于 05-21 14:01 33次 阅读
富士通FRAM存储器内置RFID LSI的产品

2Gb DDR2 SDRAM的数据手册免费下载

DDR2 SDRAM采用双数据速率结构实现高速运行。双数据速率体系结构本质上是4n预取体系结构,其接....
发表于 05-21 08:00 13次 阅读
2Gb DDR2 SDRAM的数据手册免费下载

WLAN高级SoC芯片AR9344的数据手册免费下载

Atheros AR9344是一款高度集成的、功能丰富的IEEE 802.11n2x2 2.4/5g....
发表于 05-21 08:00 30次 阅读
WLAN高级SoC芯片AR9344的数据手册免费下载

PIC18F2455系列高性能增强型闪存USB微控制器的数据手册免费下载

这一系列的设备提供了所有PIC18微控制器的优势,即高计算性能和经济的价格,加上高耐久性,增强的闪存....
发表于 05-21 08:00 18次 阅读
PIC18F2455系列高性能增强型闪存USB微控制器的数据手册免费下载

ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

标准的参数搜索 易于访问密钥产品参数 部件号搜索用于直接访问特定的产品 数据表的下载离线咨询 来采样和购买 最喜欢的部分数字管理 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 适用于Android™或iOS™操作系统 在Wandoujia应用程序商店,为中国用户提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS设备上使用的手机应用程序提供通过www.st.com在线产品组合中的一个用户友好的替代搜索,驱动用户使用以及便携式设备顺利和简单的导航体验。参数搜索引擎允许用户快速识别出最适合其应用合适的产品。此应用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...
发表于 05-21 07:05 6次 阅读
ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

,零件编号和产品 技术数据表下载和离线咨询一系列的搜索功能 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表收藏栏目 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 可在安卓™和iOS™应用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索使用便携式设备的ST二极管的产品组合。您可以轻松地定义设备最适合使用参数或一系列的搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 18:05 7次 阅读
ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

LabVIEW教程之运行性能的提升技巧资料说明

提高LabVIEW应用程序的性能了解如何识别和解决LabVIEW应用程序中的性能瓶颈。使用内置工具和....
发表于 05-20 17:37 29次 阅读
LabVIEW教程之运行性能的提升技巧资料说明

齐鲁彩票ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

引导搜索 部分号码搜索能力 主要产品功能发现 数据表下载和离线咨询 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 样品订购所选产品的 主屏幕上的语言选择 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半导体串行EEPROM组合最快和最明智的方式使用智能电话或平板。
发表于 05-20 17:05 10次 阅读
ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 17:05 11次 阅读
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

于Android和iOS电话移动应用 友好的用户界面 的直观的产品的选择: MEMS和传感器 评估工具 应用 参数搜索使用多个过滤器 部件号搜索 访问技术文档 从ST经销商在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜欢的部分数字管理经验分享 支持的语言:英语(中国,日本和韩国即将推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移动应用程序的Android和iOS,提供用户友好的替代通过MEMS和传感器网络产品组合搜索,驱动用户一起顺利和简单的导航体验。...
发表于 05-20 17:05 10次 阅读
ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

如何减小SRAM读写操作时的串扰

静态存储器SRAM是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的存储器。在SRAM 存储阵列的设计中,经常会出现串扰问题发生...
发表于 05-20 15:24 381次 阅读
如何减小SRAM读写操作时的串扰

锁存传输警告是怎么回事

大家好......我试图从我发布的RAM内存中读取一些信息,以及显示从我的内存中读取的信息的组件......好吧,它应该像那样工作但...
发表于 05-20 09:56 58次 阅读
锁存传输警告是怎么回事

采用分级字线结构可提高SRAM读写速度及降低电路动态功耗

注:转载需注明出处 采用分级字线结构的存储器将整个存储阵列划分为若干个相同的子阵列。与非分级字线结构相比,它需要采用...
发表于 05-19 16:20 517次 阅读
采用分级字线结构可提高SRAM读写速度及降低电路动态功耗

半导体SRAM存储器综述

最近30年,随着微电子技术的飞速发展,半导体存储器也正朝着显著的方向发展,由于DRAM具有高密度和每....
发表于 05-19 09:27 81次 阅读
半导体SRAM存储器综述

计算机组成原理第二版学习课件免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是计算机组成原理第二版学习课件免费下载包括了:第1章 计算机系统概论,第....
发表于 05-19 08:00 33次 阅读
计算机组成原理第二版学习课件免费下载

齐鲁彩票零起步轻松学数字电路第二版电子书免费下载

本书是一本介绍数字电路的图书,共分8章,主要内容包括门电路,数制、编码与逻辑代数,组合逻辑电路,时序....
发表于 05-19 08:00 43次 阅读
零起步轻松学数字电路第二版电子书免费下载

美光科技发布NVMe级别的两款SSD新品,强化安全特性和数据保护功能

近日,美光科技股份有限公司发布客户端固态硬盘(SSD) 新品,为客户端计算应用带来NVMe™ 级别的....
的头像 牵手一起梦 发表于 05-18 17:25 827次 阅读
美光科技发布NVMe级别的两款SSD新品,强化安全特性和数据保护功能

利用多端口存储器双口RAM和FIFO实现多机系统的设计

双口RAM是常见的共享式多端口存储器,以图1所示通用双口静态RAM为例来说明双口RAM的工作原理和仲....
发表于 05-18 10:26 115次 阅读
利用多端口存储器双口RAM和FIFO实现多机系统的设计

分立闪存存储器领域加密和安全基础设施

嵌入式系统越来越普遍地采用云技术来进行数据采集、事件检测和软件更新。这些远程物联网设备普遍通过固件完....
发表于 05-18 10:25 54次 阅读
分立闪存存储器领域加密和安全基础设施

基于AT45DB161B存储器和PIC16LC73B单片机实现微型压力测量装置设计

Flash存储器按其接口可分为串行和并行两大类。串行Flash存储器大多采用I2C接口或SPI接口进....
发表于 05-18 10:02 76次 阅读
基于AT45DB161B存储器和PIC16LC73B单片机实现微型压力测量装置设计

STM32串行外设接口SPI的资料说明

小容量产品 是指闪存存储器容量在 16K 至 32K 字节之间的 STM32F101xx 、STM3....
发表于 05-18 08:00 39次 阅读
STM32串行外设接口SPI的资料说明

敏博推出32GB原生DDR4-3200工业级存储器模块

专注工控DRAM模块与Flash储存装置集成方案的敏博(MEMXPRO Inc.),不受疫情影响,持....
发表于 05-17 10:49 96次 阅读
敏博推出32GB原生DDR4-3200工业级存储器模块

ALTERA FPGA PCIE的设计指导教程

PCI Express高性能参考设计突出了Altera@PCI Express MegaCore的硬....
发表于 05-14 17:51 62次 阅读
ALTERA FPGA PCIE的设计指导教程

读了PIC18F1220的内存时得到了每个内存位置的值0xFF怎么回事

你好,当我读了PIC 18F1220的内存时,我得到了每个内存位置的值0xFF。这是否意味着代码保护已被激活或PIC存储器被擦除?...
发表于 05-14 14:42 32次 阅读
读了PIC18F1220的内存时得到了每个内存位置的值0xFF怎么回事

兆易创新布局新型存储器RRAM领域,为嵌入式产品提供存储解决方案

5月12日消息,兆易创新今日宣布,与领先的半导体IP供应商Rambus Inc. 就RRAM (电阻....
的头像 牵手一起梦 发表于 05-14 14:38 472次 阅读
兆易创新布局新型存储器RRAM领域,为嵌入式产品提供存储解决方案

SRAM的发展概况及趋势

随着微电子技术的迅猛发展,SRAM 逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展....
发表于 05-14 09:31 102次 阅读
SRAM的发展概况及趋势

千兆级电路仿真器NanoSpice Giga实现比FastSPICE仿真器更快速度

NanoSpice Giga™是业界首个千兆级晶体管级SPICE电路仿真器,通过独创的基于大数据的并....
发表于 05-13 17:59 110次 阅读
千兆级电路仿真器NanoSpice Giga实现比FastSPICE仿真器更快速度

专用MCU渐成热点,芯海科技持续发力信号链MCU

随着嵌入式智能化应用的深入,基于场景化应用的MCU需求增加,越来越多的MCU厂商倾向于提供专用解决方....
的头像齐鲁彩票 MCU开发加油站 发表于 05-13 17:33 451次 阅读
专用MCU渐成热点,芯海科技持续发力信号链MCU

ROMRAMFlash的一些零碎知识点

一种是真的写了就没法改的ROM;一种是可以写一次的ROM(one-time Programmable....
的头像 MCU开发加油站 发表于 05-13 17:31 475次 阅读
ROMRAMFlash的一些零碎知识点

英特尔第二代傲腾固态硬盘支持PCIe 4.0,使用第二代3D XPoint介质

5月11日消息,近日,英特尔初步介绍第二代傲腾固态硬盘细节,该公司使用3DXpoint打造的傲腾系列....
的头像 牵手一起梦 发表于 05-13 14:08 946次 阅读
英特尔第二代傲腾固态硬盘支持PCIe 4.0,使用第二代3D XPoint介质

单片机中的数据存储器ram

存储器是由许多的存储单元集合所成,按照单元号顺序进行排列。每个单元由若干三进制位构成,以表示存储单元....
发表于 05-13 14:03 48次 阅读
单片机中的数据存储器ram

闪存和其他相关技术的未来将充满希望

Coughlin Associates公司总裁Tom Coughlin对此表示同意,随着设备使用更薄....
的头像 存储D1net 发表于 05-13 09:30 455次 阅读
闪存和其他相关技术的未来将充满希望

93XX系列串行EEPROM的数据手册免费下载

Microchip Technology Inc. 生产的低电压串行电擦写式可编程只读存储器(Ele....
发表于 05-11 17:05 59次 阅读
93XX系列串行EEPROM的数据手册免费下载

关于如何提高SRAM存储器的新方法

SRAM是当今处理器上最普遍的内存。当芯片制造商宣布他们已经成功地将更多的电路封装到芯片上时,通常是较小的晶体管引起了人...
发表于 05-11 15:40 850次 阅读
关于如何提高SRAM存储器的新方法

齐鲁彩票模拟量采集模块ZSR2184 4G的功能

模拟量采集模块ZSR2184 4G是一款使用4G无线网络进行远程模拟量/数字量采集及远程继电器控制的....
发表于 05-11 09:58 50次 阅读
模拟量采集模块ZSR2184 4G的功能

C4机器人与PLC的通信IO域更改扩展

数字输出先在PLC 端被写入 输出存储器,然后才被传输。PLC的数字输出在KRC4 端被存放在输入....
的头像 机器人及PLC自动化应用 发表于 05-11 08:41 536次 阅读
C4机器人与PLC的通信IO域更改扩展

内存ram容量计算

ram也叫随机存取记忆体,它就相当于PC机上的移动存储,主要是用来存储和保存数据的。它在任何时候都可....
发表于 05-10 11:00 140次 阅读
内存ram容量计算

ram和rom的区别之处

存储器是数字系统中用以存储大量信息的设备或部件,是计算机和数字设备中的重要组成部分。存储器可分为随机....
发表于 05-10 10:28 86次 阅读
ram和rom的区别之处

KUKA机器人如何声明变量

变量声明需要关键词 DECL,对四种简单数据类型关键词 DECL 可省略[1.整数 (INT) 2.....
的头像齐鲁彩票 机器人及PLC自动化应用 发表于 05-10 10:27 523次 阅读
KUKA机器人如何声明变量

sram是靠什么存储信息

半导体存储器SRAM是靠双稳态存储信息,而半导体存储器DRAM则是靠电容存储,半导体静态存储器SRA....
发表于 05-10 10:10 253次 阅读
sram是靠什么存储信息

ram是什么

RAM是随机存取存储器也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器芯片。它可以随时读写(刷新时除外)....
发表于 05-10 09:44 47次 阅读
ram是什么

SRAM中灵敏放大器的原理

接下来宇芯电子介绍关于SRAM灵敏放大器的原理。在SRAM 中,读操作开始前,先要对两条位线进行预充电,将两条位线初始化为...
发表于 05-09 17:39 909次 阅读
SRAM中灵敏放大器的原理

预计今年全球芯片制造商将削减生产设施投资额,进而提振内存价格

  根据市场研究公司Omdia最新的一份报告显示,全球对DRAM生产设施的投资额预计将较上年同期减少....
的头像 牵手一起梦 发表于 05-08 15:13 337次 阅读
预计今年全球芯片制造商将削减生产设施投资额,进而提振内存价格

群联电子与长江存储合作,促进为国内市场提供稳定的SSD产品

  5月7日消息, 根据群联电子官方的消息,群联全系列控制芯片支持长江存储3D NAND,且都迈入了....
的头像 牵手一起梦 发表于 05-08 14:55 452次 阅读
群联电子与长江存储合作,促进为国内市场提供稳定的SSD产品

齐鲁彩票AI的最佳选择是不是协同芯片

多年来,半导体行业一直致力于将越来越多的组件紧密的集成到单个片上系统中(SoC)。毕竟这对于庞大的应....
发表于 05-08 08:00 64次 阅读
AI的最佳选择是不是协同芯片

齐鲁彩票半导体存储器的学习课件资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是半导体存储器的学习课件资料说明包括了:存储器基本概念,随机存取存储器(R....
发表于 05-08 08:00 76次 阅读
半导体存储器的学习课件资料说明

指针跟基于存储器的指针有什么区别?

[postbg]bg7.png[/postbg] 一般指针跟基于存储器的指针有什么区别? 温馨提示: 请从以下链接中的帖子学习相关...
发表于 05-08 02:49 30次 阅读
指针跟基于存储器的指针有什么区别?

铁电存储器FRAM的结构及特长

铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器,它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的...
发表于 05-07 15:56 232次 阅读
铁电存储器FRAM的结构及特长

汽车电子领域中串行NAND的应用分析

NOR Flash多年来一直作为汽车的一种可靠技术,如今已应用于各种汽车系统,包括仪表集群、信息娱乐....
发表于 05-07 08:38 207次 阅读
汽车电子领域中串行NAND的应用分析

云存储全面替代机械存储会成为现实吗

在信息技术领域,存储设备扮演着不可或缺的角色。在安防领域,随着安防智能化、高清化、以及警务需求的不断....
发表于 05-04 09:17 307次 阅读
云存储全面替代机械存储会成为现实吗

使用光纤传感器测量管壁厚度并监控管道腐蚀的速度

利用日前可用的两个FT传感器之一来解调传感器的光学信号。FT 3405主要用于连续监控应用(图1A)....
发表于 05-03 18:04 116次 阅读
使用光纤传感器测量管壁厚度并监控管道腐蚀的速度

华米OV存储器供应商普冉半导体拟登陆A股IPO,已进行辅导备案

普冉半导体主要从事集成电路产品的研发设计和销售,专注于NOR Flash和EERPOM两大非易失性存....
的头像齐鲁彩票 MCA手机联盟 发表于 04-30 17:30 994次 阅读
华米OV存储器供应商普冉半导体拟登陆A股IPO,已进行辅导备案

SRAM随机存储器的特点及结构

随着微电子技术的迅猛发展,SRAM存储器逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的....
发表于 04-30 15:48 200次 阅读
SRAM随机存储器的特点及结构

国产SRAM芯片XM8A51216随机X型存储器

XM8A51216采用异步SRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术,在大容量、高性能和高可靠及....
发表于 04-30 15:00 216次 阅读
国产SRAM芯片XM8A51216随机X型存储器

金士顿M.2 2280 NVMe固态硬盘新品,支持96层3D TLC NAND技术

4月28日消息,金士顿刚刚推出了 KC2500 系列 M.2 2280 NVMe 固态硬盘新品,采用....
的头像 牵手一起梦 发表于 04-29 14:27 411次 阅读
金士顿M.2 2280 NVMe固态硬盘新品,支持96层3D TLC NAND技术

意法半导体推出的新型EEPROM存储器

意法半导体(纽约证券交易所代码:STM),一家横跨多重电子应用领域、为客户提供半导体服务的全球领先供....
的头像 意法NFC存储器及安全芯片 发表于 04-28 14:28 731次 阅读
意法半导体推出的新型EEPROM存储器

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 172次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 28次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 26次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 42次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 24次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 54次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 54次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 127次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 118次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

齐鲁彩票AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 146次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 134次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 120次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
发表于 04-18 19:13 878次 阅读
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

齐鲁彩票CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 84次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 110次 阅读
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI
全中彩票 234彩票 河北11选5走势图 彩尊彩票 牛牛彩票