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应用材料公司解决2D尺寸继续微缩的重大技术瓶颈

应用材料公司今日宣布推出一项新技术,突破了晶圆代工-随逻辑节点2D尺寸继续微缩的关键瓶颈。

2020-07-21 标签:晶圆代工晶体管应用材料公司 246

齐鲁彩票Nexperia发布P沟道MOSFET,采用节省空间的坚固L...

LFPAK封装采用铜夹片结构,由Nexperia率先应用,已在汽车等要求严格的应用领域中使用近20年。

2020-05-08 标签:MOSFETNexperiaLFPAK56 352

齐鲁彩票史密斯英特康推出适用于200µm间距的晶圆级封装测试头Vol...

Volta独特的设计具有极短的信号路径,低接触电阻,可实现最佳电气性能,并且可有效地降低清洁频率,提高了探针头的使用寿命和延长单次正常运行时间。

2020-03-17 标签:晶圆封装测试volta 127

UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8...

新发布的产品应用范围包括无线和电信系统中50~500KHz频率范围的LLC和相移全桥(PSFB)功率转换,以及功率因数校正(PFC)中的标准硬开关等领域。

2020-02-05 标签:FETSiCUnitedSiC 300

齐鲁彩票定压推挽控制芯片SCM1212A,高效集成三项关键技术!

金升阳最新发布的定压推挽控制芯片SCM1212A具有SOT23-5封装,在功能上与之前推出的SCM1201A(SOT23-6封装)相同,此款芯片的发布满足了市场上对不同引脚封装的需求。

2019-12-02 标签:变压器电源控制器推挽 658

Vishay推出高速红外发射器,亮度提高30 %,且可消除多...

850 nm、890 nm和940 nm器件采用带侧光挡板的小型0805表面贴封装,辐照强度达13 mW/sr,工作温度范围-40 °C至+110 °C。

2019-11-20 标签:Vishay发射器红外发射器PCB封装 388

Soitec宣布与应用材料公司启动联合研发项目,共同开发新一...

齐鲁彩票法国Soitec半导体公司宣布与应用材料公司启动联合项目,展开对新一代碳化硅衬底的研发。

2019-11-19 标签:碳化硅SOITEC应用材料公司 429

智原科技28/40纳米单芯片ASIC设计量三年倍增

28纳米与40纳米为目前半导体市场上的主流工艺,无论是IP、光罩与晶圆等技术均趋于稳定成熟,成本大幅低于FinFET工艺。

2019-09-19 标签:asic晶圆soc智原科技 613

紫光64层晶圆正式亮相,距离世界领先水平该有多远?

在2019中国国际智能产业博览会上,紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer。据存储在线报道称,这是紫光集团旗下长江存储推出的第二代64层3D NAND,也是业内存储密度最高的64层3D NAND芯片。据techweb的消息显示,长江存储今年年底预计正式量产64层堆栈的3D闪存,明年开始逐步提升产能,预计2020年底有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。

2019-08-27 标签:三星SK海力士3D NAND长江存储 956

UnitedSiC在UF3C FAST产品系列中新增两种TO...

齐鲁彩票美国新泽西州普林斯顿 --- 新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布,在公司快速发展的650V SiC FET硬开关UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项。

2019-07-25 标签:封装FETSiCUnitedSiC 565

贸泽电子6月新品推荐:750多家知名厂商 总超过329种新品

致力于快速引入新产品与新技术的业界知名分销商贸泽电子 (Mouser Electronics),首要任务是提供来自750多家知名厂商的新产品与技术,帮助客户设计出先进产品,并加快产品上市速度。

2019-07-18 标签:英飞凌电子元器件三相逆变器贸泽电子 613

英特尔先进封装技术为芯片产品架构开启全新维度

异构集成技术为芯片架构师提供了前所未有的灵活性,使之能够在新的多元化模块中将各种IP和制程技术与不同的内存和I/O单元混搭起来。英特尔的垂直集成结构在异构集成的时代独具优势。

2019-07-10 标签:英特尔IntelIP制程芯片封装 584 齐鲁彩票

elmos在2019传感器+测试展会展示多款传感器芯片测量解...

2019年7月1日,德国巴伐利亚州纽伦堡市讯,半导体技术系统解决方案供应商德国elmos公司日前在刚刚闭幕的2019传感器+测试展会上展示了传感器信号处理芯片以及超声波液位、流量和距离测量的解决方案。

2019-07-02 标签:传感器半导体ELMOS 523

ADI新产品新闻:快速了解5月新品信息

ADRF5720 是一款 6 位数字硅衰减器,以 0.5 dB步长提供 31.5 dB 的衰减控制范围。该器件的工作频率范围为 9 kHz 至 40 GHz,提供优于 4.5 dB 的插入损耗和出色的衰减精度。在所有状态下,ADRF5720 的 ATTIN 端口具有 27 dBm(平均值)和 30 dBm(峰值)的射频 (RF) 输入功率处理能力。

2019-05-23 标签:频率合成器衰减器数字隔离器雷达发射器 689

齐鲁彩票业界首套模拟CDR的PAM-4产品组合 推动实现50G至40...

针对云数据中心高密度链路的大规模部署,MACOM对组件产品进行了优化,使其能够支持符合全新 Open Eye MSA行业标准的更高速、更低成本以及更高效的光模块。

2019-05-21 标签:驱动器cdr光模块MACOM 1351

贸泽电子新品推荐:2019年4月

致力于快速引入新产品与新技术的业界知名分销商贸泽电子 (Mouser Electronics),首要任务是提供来自750多家知名厂商的新产品与技术,帮助客户设计出先进产品,并加快产品上市速度。

2019-05-15 标签:微控制器传感器贸泽电子 297

紫光展锐推出全球首款基于DYNAMIQ架构的4核LTE平台-...

紫光展锐推出全球首款基于DYNAMIQ架构的4核LTE平台--虎贲T310...

2019-04-12 标签:芯片LTE紫光展锐 516

台积电推出采用EUV的5nm工艺设计 密度提高1.8倍,性能...

台积电近日宣布,将基于该公司的开放式创新平台(OIP)提供完整版的5nm工艺设计制成。 据该公司称,5nm工艺已经处于风险生产阶段,针对5G和人工智能市场,为下一代高端移动和HPC应用提供新级别的性能和功耗优化。 采用5纳米的新工艺,与公司的7纳米工艺相比,相同的Cortex-A72内核可实现1.8倍的逻辑密度和15%的速度提升。 5nm工艺采用EUV光刻(极紫外曝光)制造,与公司以前的节点相比,通过简化制造工艺和在同一发展阶段实现出色的技术成熟度,可

2019-04-10 标签:台积电晶圆EUV 664

齐鲁彩票新思科技发布TestMAX系列产品 重新界定测试的预期

人工智能和汽车等快速发展的新应用增加了设计规模与复杂性。这些不断发展的细分市场需要前所未有的高质量和长期可靠性。独特的TestMAX软错误分析计算ISO 26262标准数据,从而识别与解决设计周期早期发现的潜在问题,并引导有效的设计变动。

2019-04-08 标签:三星电子人工智能新思科技 1925

齐鲁彩票铟泰公司新的InFORMS ESM02焊片有什么优势

铟泰公司推出InFORMS®新突破ESM02, 特别为保证芯片级焊接层一致高度而设计。

2019-04-07 标签:芯片焊接 226

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